金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件

摘要

本发明提供了一种金属氧化物半导体器件制作方法和一种金属氧化物半导体器件，其中，金属氧化物半导体器件制作方法包括：在硅半导体衬底上生长硅半导体外延层之后，对硅半导体外延层上的预定区域进行刻蚀，形成凹槽；向凹槽注入P型掺杂离子，在硅半导体外延层上生成P型体区；在形成有P型体区的硅半导体衬底上依次生长栅氧化层和多晶硅层；将P型体区上的凹槽作为多晶硅层的光刻定位参考，在P型体区的上方形成多晶硅窗口；通过多晶硅窗口向P型体区注入N型掺杂元素，形成源极区域。本发明通过以P型体区上的凹槽作为多晶硅层的光刻定位参考，提高了多晶硅层相对P型体区的套准精度，从而提高沟道长度的制作精度，同时优化了制作工艺。

主权项

一种金属氧化物半导体器件制作方法，其特征在于，包括：在硅半导体衬底上生长硅半导体外延层之后，对所述硅半导体外延层上的预定区域进行刻蚀，形成凹槽；向所述凹槽注入P型掺杂离子，在所述硅半导体外延层上生成P型体区；在形成有所述P型体区的硅半导体衬底上依次生长栅氧化层和多晶硅层；将所述P型体区上的凹槽作为所述多晶硅层的光刻定位参考，在所述P型体区的上方形成多晶硅窗口；通过所述多晶硅窗口向所述P型体区注入N型掺杂元素，形成源极区域。