| 发明名称 | 一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，涉及半导体器件技术领域；包括如下步骤：（1）衬底准备：选取碳化硅衬底，对其进行标准清洗待用；（2）初步外延生长：在碳化硅衬底上用化学气相沉积法进行初步外延生长较薄外延层；（3）原位退火：切断外延生长源，对设备反应室抽真空，在1650℃～2000℃条件下，对步骤（2）外延后的样品进行退火处理；（4）再外延生长：对步骤（3）退火后的样品，进行再外延生长，至所需厚度。本发明能够显著减小外延层中的残余应力，有效减少衬底传播外延层中缺陷，获取缺陷密度小的高质量碳化硅外延材料。 | ||
| 申请公布号 | CN104867818A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201510153852.9 | 申请日期 | 2015.04.02 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 芦伟立;冯志红;李佳;刘庆彬;蔚 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 申超平 |
| 主权项 | 一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，其特征在于包括如下步骤：（1） 衬底准备：选取碳化硅衬底，对其进行标准清洗待用；（2） 初步外延生长：在碳化硅衬底上用化学气相沉积法进行初步外延生长较薄外延层；（3） 原位退火：切断外延生长源，对设备反应室抽真空，在1650℃～2000℃条件下，对步骤（2）外延后的样品进行退火处理；（4） 再外延生长：对步骤（3）退火后的样品，进行再外延生长，至所需厚度。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||