发明名称 发光物质
摘要 本发明涉及包含阴离子骨架结构、掺杂剂和阳离子的化合物,其中:a.阴离子骨架结构的特征是配位四面体GL<sub>4</sub>-,其中G表示硅,其可被C、Ge、B、Al或In部分替代,且L表示N和O,条件是N构成L的至少60原子%,b.阳离子选自碱土金属,条件是锶和钡一起构成阳离子的50原子%或更多,c.存在的掺杂剂为三价铈或者三价铈和二价铕的混合物,d.铈掺杂的电荷补偿借助以下方式进行i)碱土金属阳离子被碱金属阳离子的相应替代和/或ii)氮含量的相应提高和/或iii)阳离子的相应降低,还涉及制备这些化合物的方法,以及这些化合物作为转换无机发光材料的用途。
申请公布号 CN104870604A 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN201380066010.9 申请日期 2013.12.02
申请人 默克专利有限公司 发明人 H·温克勒;R·派特里;T·沃斯格罗内;C·汉佩尔;A·本克尔
分类号 C09K11/08(2006.01)I;C09K11/77(2006.01)I 主分类号 C09K11/08(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 李颖;林柏楠
主权项 包含阴离子骨架结构、掺杂剂和阳离子的化合物,其中:a.阴离子骨架结构的特征是配位四面体GL<sub>4</sub>‑,其中G表示硅,其可被C、Ge、B、Al或In部分替代,且L表示N和O,条件是N构成L的至少60原子%,b.阳离子选自碱土金属,条件是锶和钡一起构成阳离子的50原子%或更多,c.存在的掺杂剂为三价铈或者三价铈和二价铕的混合物,d.铈掺杂的电荷补偿借助以下方式进行:i)碱土金属阳离子被碱金属阳离子的相应替代和/或ii)氮含量的相应提高和/或iii)碱土金属阳离子的相应降低。
地址 德国达姆施塔特