| 发明名称 | 存储元件和存储装置 | ||
| 摘要 | 本技术提供了存储元件和存储装置，它们使得能够提高在低电流写入时的电阻值保持性能。本技术的存储元件包括依次布置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括离子源层和电阻变化层。所述离子源层含有：从元素周期表的第4族、第5族和第6族之中选出的至少一种过渡金属元素；从碲(Te)、硫(S)和硒(Se)之中选出的至少一种硫族元素；以及硼(B)和碳(C)中的至少一种。所述电阻变化层具有通过向所述第一电极和所述第二电极施加电压而被改变的电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN104871314A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201380066176.0 | 申请日期 | 2013.12.10 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 清宏彰;大场和博;野野口诚二 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 陈桂香;曹正建 |
| 主权项 | 一种存储元件，其包括依次布置的第一电极、存储层和第二电极，其中所述存储层包括：离子源层，所述离子源层含有：从元素周期表中的第4族、第5族和第6族中选出的至少一种过渡金属元素；从碲(Te)、硫(S)和硒(Se)中选出的至少一种硫族元素；及硼(B)和碳(C)中的至少一种；以及电阻变化层，所述电阻变化层具有通过向所述第一电极和所述第二电极施加电压而被改变的电阻。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||