发明名称 |
METHODS FOR A PHASE-CHANGE MEMORY ARRAY |
摘要 |
위상 변화 메모리 어레이를 동작시키는 방법이 기술된다. 본 방법은 위상 변화 메모리 어레이에 기록될 패턴을 결정하는 단계 및 상기 위상 변화 메모리 어레이에 상기 패턴을 기록하기 위해 상기 위상 변화 메모리 어레이에 2개 이상의 리셋 시퀀스를 상기 패턴에 따라 실행하는 단계를 포함한다. 다른 방법은 위상 변화 메모리 어레이에 세트 시퀀스를 실행하는 단계 및 세트 시퀀스를 실행하는 것으로부터 유도된 패턴을 얻기 위해 위상 변화 메모리 어레이에 적절한 판독을 수행하는 단계를 포함한다. |
申请公布号 |
KR101546890(B1) |
申请公布日期 |
2015.08.25 |
申请号 |
KR20127019823 |
申请日期 |
2009.12.31 |
申请人 |
마이크론 테크놀로지, 인크. |
发明人 |
베데쉬, 페르디난도;레스타, 클라우디오;페라로, 마르코 |
分类号 |
G11C13/02;G11C16/02 |
主分类号 |
G11C13/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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