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<p>강유전체 메모리 소자 및 그 동작 방법이 개시된다. 강유전체 메모리 소자는, 완전히 공핍된 채널과, 게이트 전극층과, 채널과 게이트 전극층 사이에 위치하는 강유전체층을 포함하는 강유전체 메모리 셀들의 낸드 배열을 가진다. 낸드 배열을 가지는 강유전체 메모리 소자의 복수의 강유전체 메모리 셀들의 데이터는 비트 라인 및 공통 소오스 라인에 제1소거 전압을 인가하고, 스트링 선택 라인과 접지 선택 라인에 제2소거 전압을 인가하여 지워진다.</p> |
