发明名称 MEMORY DEVICE WITH VARIABLE TRIM PARAMETERS
摘要 A memory device comprises a memory array including multiple memory cells; two or more fuses connected to the memory array; and a mode register selecting one to be enabled among the fuses, wherein each of the fuses includes trim data about the memory array.
申请公布号 KR20150096305(A) 申请公布日期 2015.08.24
申请号 KR20140167192 申请日期 2014.11.27
申请人 SONY CORPORATION 发明人 KITAGAWA MAKOTO;KUNIHIRO TAKAFUMI;OTSUKA WATARU;TSUSHIMA TOMOHITO
分类号 G11C29/00;G11C16/06 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人
主权项
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