| 摘要 |
<p>플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 플래시 메모리 소자의 제조 방법은 반도체 기판 상에 터널 산화막을 형성하는 단계,상기 터널 산화막 상에 다결정의 제1 폴리 실리콘층을 형성하는 단계, 결정과 결정 사이의 결정 경계 영역에서 두께가 두꺼워지도록 상기 제1 폴리 실리콘층 상에 산화막을 성장시키는 단계, 및 상기 산화막 및 상기 제1 폴리 실리콘층에 대하여 전면 식각 공정을 수행하여 상기 제1 폴리 실리콘 표면에 다수의 팁들을 형성하는 단계를 포함한다.</p> |
