发明名称 Temperature correction control system of growing apparatus for silicon single crystal and manufacturing method for the same
摘要 <p>본 발명의 실리콘 단결정 성장 장치의 온도 보정 제어 시스템은, 성장챔버 내부에 마련된 도가니와 히터에 의해 실리콘 융액(S)이 용해되고, 출입구를 통해 성장될 잉곳이 성장챔버의 내부로 삽입되어 상기 실리콘 융액과 접촉되어 단결정 잉곳으로 성장하는 실리콘 단결정 성장 장치에 있어서, 상기 실리콘 융액과 접촉된 잉곳이 소정 직경까지 확대하는 숄더링 공정에서 제 1 구간까지 진행된 시간 및 잉곳의 형상을 측정하는 잉곳 성장 형태 검출부와; 상기 잉곳 성장 형태 검출부에서 측정된 제 1 구간의 시간에 따른 잉곳의 형상을 저장하고, 그로잉 공정에서의 각 단계별 시간에 대응하는 성장된 잉곳 형상에 대한 기준 데이터 값을 저장하는 저장부와; 상기 저장부에 저장된 시간에 따른 잉곳의 형상에 대한 기준 데이터 값과 상기 측정된 시간에 따른 잉곳의 형상을 비교하여 그에 대응하는 숄더링 공정의 제 2 구간 및 바디 공정의 제 3 구간에 대한 보정 온도를 산출하는 보정 온도 산출부; 및 상기 산출된 보정 온도로 상기 제 2 구간 및 제 3 구간의 그로잉 공정의 각 단계별 온도를 제어하는 제어부를 포함하는 점에 그 특징이 있다.</p>
申请公布号 KR101546680(B1) 申请公布日期 2015.08.24
申请号 KR20130075755 申请日期 2013.06.28
申请人 发明人
分类号 C30B15/20;C30B29/06 主分类号 C30B15/20
代理机构 代理人
主权项
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