发明名称 Array substrate and method for fabricating the same
摘要 <p>본 발명은, 화소영역이 정의된 절연기판 상에 일방향으로 연장하며 형성된 게이트 배선과, 상기 게이트 배선과 연결되며 형성된 게이트 전극과; 상기 게이트 전극 및 게이트 배선 위로 상기 게이트 전극에 대응하여 제 1 두께를 갖는 제 1 영역을 이루며, 그 외의 상기 화소영역에 대응해서는 상기 제 1 두께보다 두꺼운 제 2 두께를 갖는 제 2 영역으로 구성된 게이트 절연막과; 상기 제 2 영역 상에 상기 게이트 배선과 교차하여 상기 화소영역을 정의하며 형성된 데이터 배선과, 상기 제 1 영역 상에서 서로 이격하며 그 타끝단이 각각 상기 제 2 영역까지 연장 형성된 소스 및 드레인 전극과; 상기 제 1 영역의 상기 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극과 이들 두 전극 사이의 이격영역에 대응하여 형성된 유기 반도체층과; 상기 유기 반도체층 위로 상기 화소영역 전면에 형성되며 상기 제 2 영역에 위치한 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층과; 상기 보호층 위로 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며 상기 화소영역에 형성된 화소전극을 포함하는 어레이 기판 및 이의 제조 방법을 제공한다.</p>
申请公布号 KR101546787(B1) 申请公布日期 2015.08.24
申请号 KR20080130507 申请日期 2008.12.19
申请人 发明人
分类号 G02F1/136;H01L29/786 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人
主权项
地址