| 发明名称 |
使用高功率脉冲磁控管溅镀法形成记忆体 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI496926 |
申请公布日期 |
2015.08.21 |
| 申请号 |
TW100122714 |
申请日期 |
2011.06.28 |
| 申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
胡永军;麦堤尔 艾略特Ａ;史密斯 三世 约翰Ａ;山德胡 古堤Ｓ |
| 分类号 |
C23C14/35;H01L21/363;G11C13/00 |
主分类号 |
C23C14/35 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种处理记忆体之方法，其包括：藉由以下步骤在结构上形成来自靶之电阻式记忆体材料：使用高功率脉冲磁控管溅镀法(HIPIMS)形成包含来自该靶之电阻式记忆体材料的电浆；及将该电浆中的电阻式记忆体材料形成于该结构上；其中该靶于该电浆经受HIPIMS初始脉冲而开始形成前即已具有该电阻式记忆体材料；且其中该电阻式记忆体材料系在具有大约400℃或更低之温度之环境中在该结构上形成。
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| 地址 |
美国 |
