具有超接面结构的半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置，包括：基板；外延层，系形成在该基板上，且具有第一导电型；在该外延层中形成的多个深井，该多个深井具有与该第一导电型相反的第二导电型；在相邻的深井之间的外延层的顶部中形成的多个沟槽金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)单元，该外延层的顶部系形成为本体区，该基板系形成为汲极区；以及其中，该等沟槽MOSFET单元的每一个皆包括在该本体区中所形成的源极区和浅沟槽闸极，该浅沟槽闸极的沟槽深度系小于相邻的深井间之距离的二分之一。