发明名称 使用个别控制的温度区之CMP系统及方法
摘要
申请公布号 TWI496658 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW097149101 申请日期 2008.12.17
申请人 高级微装置公司 发明人 海瑞奇 珍妮丝;马司恩 葛尔德
分类号 B24B37/015 主分类号 B24B37/015
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种用于研磨基板之方法,该方法包括:藉由根据自至少一个先前研磨之基板以及一个或多个待研磨之基板所取得之测量资料决定目标温度轮廓,而于待研磨之材料层中建立温度轮廓;根据该目标温度轮廓调整该材料层中之该温度轮廓,该温度轮廓沿着该材料层之至少一侧向方向变化;以及藉由使用温度相依之化学移除机制而研磨该材料层。
地址 美国