| 发明名称 |
具有应力奈米线通道与嵌入式矽锗源极及汲极压力源的ｐ－ＦＥＴ |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI497606 |
申请公布日期 |
2015.08.21 |
| 申请号 |
TW100108090 |
申请日期 |
2011.03.10 |
| 申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
柯汉 盖依;摩瑞 科纳Ｅ;鲁克斯 麦可Ｊ |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
李宗德 台北市大安区敦化南路2段218号5楼Ａ区 |
| 主权项 |
一种制造一场效电晶体(FET)的方法，包含以下步骤：提供一具有一介电质在其上的掺杂基板；在该介电质上布置至少一矽奈米线；遮蔽该奈米线的一或多个部分且使该奈米线的其他部分暴露；生长磊晶锗于该奈米线的该等暴露部分上；使该磊晶锗与该奈米线中的矽交互扩散以形成在该奈米线中嵌入的矽锗区域，以在该奈米线中引起压缩应力，其中该掺杂基板用作该FET的一闸极，该奈米线的该等遮蔽部分用作该FET的通道，及该等嵌入式矽锗区域用作该FET的源极及汲极区域；以及使用锗致密化，进一步增加该等矽锗区域中的锗浓度。
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| 地址 |
美国 |
