发明名称 发光装置晶片及发光装置晶片封装件
摘要
申请公布号 TWI497768 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW100100025 申请日期 2011.01.03
申请人 LG伊诺特股份有限公司 发明人 曹京佑;金有东
分类号 H01L33/48 主分类号 H01L33/48
代理机构 代理人 陈瑞田 高雄市凤山区建国路3段256之1号
主权项 一种发光装置晶片,包含:一发光结构,包含一第一导电半导体层、一第二导电半导体层及一活性层,该活性层介于该第一导电半导体层与第二导电半导体层之间;一穿透层,位于该发光结构上;以及一发光材料层,位于该穿透层上,其中该发光材料层包含一图案,该发光材料层部分裸露该穿透层及该发光结构,其中该穿透层具有低于该发光材料层的热传导性与高于发光材料层的穿透性。
地址 南韩