| 主权项 |
一种形成光伏打薄膜电池之方法，其包含：在一基板上安置一薄膜，其中该薄膜包括一化合物；以一保护层涂布该薄膜以形成一第一经涂布薄膜结构，其中该保护层防止该化合物之部分在退火制程期间逸出；将该经涂布薄膜结构退火以形成一经涂布光伏打薄膜结构，其中该经涂布光伏打薄膜保留有在该退火期间由该保护层防止逸出之该化合物之该部分；自该经涂布光伏打薄膜结构移除该保护层以形成一未经涂布之光伏打薄膜结构；在该未经涂布之光伏打薄膜结构上安置一接触栅格；在该接触栅格上安置一防反射涂层；及在该防反射涂层上安置一防护玻璃罩以形成一光伏打薄膜电池，其中该薄膜之该化合物系选自由以下组成之群：二硒化铜铟镓(CuInGaSe2)、二硫化铜铟镓(CuInGaS2)、二硒化铜镓(CuGaSe2)、二硫化铜镓(CuGaS2)及二硫化铜铟(CuInS2)。 |
