三维堆叠半导体装置及其制造方法

主权项

一种三维堆叠半导体装置之制造方法，包括：提供N层堆叠结构，各该堆叠结构包括一导电层及一绝缘层，该些导电层及该些绝缘层交错堆叠，N≦P×Q，N、P、Q为正整数；提供一第一光阻层，该第一光阻层覆盖该些堆叠结构之部分表面；以该第一光阻层为遮罩，蚀刻(etch)P-1次该些堆叠结构，在此步骤之每次蚀刻中，该些堆叠结构被蚀刻一层的厚度，且在第1次~第P-2次蚀刻该些堆叠结构后，皆削减(trim)该第一光阻层之宽度一次；移除该第一光阻层；提供一第二光阻层，该第二光阻层覆盖该些堆叠结构之部分表面；以该第二光阻层为遮罩，蚀刻Q-1次该些堆叠结构，在此步骤之每次蚀刻中，该些堆叠结构被蚀刻P层的厚度，且在第1次~第Q-2次蚀刻该些堆叠结构后，皆削减该第二光阻层之宽度一次；移除该第二光阻层；以及设置N条导线，各该导线电性连接于各该导电层之一接点；其中该第一光阻层系朝一第一方向削减宽度，该第二光阻层系朝一第二方向削减宽度，该第一方向不同于该第二方向，复数个接点沿着该第一方向及该第二方向阵列式排列，该第一方向及该第二方向之夹角系为锐角。