发明名称 参考电压产生电路与电子装置
摘要
申请公布号 TWI497256 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW101140743 申请日期 2012.11.02
申请人 晶豪科技股份有限公司 发明人 陈锦扬;何仪修
分类号 G05F3/16 主分类号 G05F3/16
代理机构 代理人 庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项 一种参考电压产生电路,包括:一第一能带隙参考电路,用以接收一系统电压且输出一第一参考电压;一第一N型抑制电晶体,其闸极接收该第一参考电压,其汲极耦接该系统电压,用以抑制该第一参考电压中的交流信号,进而提高该参考电压产生电路之电源供应抑制比,其中该第一N型抑制电晶体为空乏式金氧半场效电晶体;以及一第二能带隙参考电路,耦接至该第一N型抑制电晶体之源极,且输出一第二参考电压;其中该第一参考电压中的交流信号为该系统电压之信号摆幅所产生;其中,该第二能带隙参考电路包括:一第三N型电晶体,具有负温度系数的一第三临界电压,其汲极耦接该第一N型抑制电晶体之源极,其源极与其闸极相互耦接且输出该第二参考电压;以及一第四N型电晶体,具有负温度系数的一第四临界电压,其汲极耦接该第三N型电晶体之源极,其闸极耦接该第三N型电晶体之闸极,其源极耦接该接地电压;其中该第三N型电晶体为空乏式金氧半场效电晶体,该第四N型电晶体为增强式金氧半场效电晶体,且该第二参考电压受控于该第三临界电压与该第四临界电压。
地址 新竹市新竹科学工业园区工业东四路23号