| 发明名称 | 阻障堆叠结构及形成阻障堆叠结构的方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI497674 | 申请公布日期 | 2015.08.21 |
| 申请号 | TW101120006 | 申请日期 | 2012.06.04 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 柯孟综;洪永泰;苏金达 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 代理人 | 李贵敏 台北市内湖区民权东路6段109号2楼之1 | |
| 主权项 | 一种形成阻障堆叠结构的方法，包含：提供一基板；以一第一气相沈积制程形成一导体层于该基板上；以一第二气相沈积制程形成一第一非晶质薄膜于该导体层上；对该第一非晶质薄膜进行一改质制程，以将该第一非晶质薄膜改质为一第一阻障层，该第一阻障层包括一第二非晶质薄膜及一晶体化薄膜，其中该晶体化薄膜位于该第二非晶质薄膜的上表面；以及以一化学气相沈积制程形成一第二阻障层于该第一阻障层上。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||