用于在自旋转矩磁性随机存取记忆体中之垂直各向异性之晶种层及自由磁性层

主权项

一种磁性层，其包含：一晶种层，其至少包含钽；一自由磁性层，其至少包含铁，其中该自由磁性层直接生长于该晶种层之上且该自由磁性层相对于该晶种层之表面而垂直磁化；及由氧化镁(MgO)形成之一穿隧障壁层，其直接形成于该自由磁性层上。