| 发明名称 | 记忆体页面缓冲器 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI497524 | 申请公布日期 | 2015.08.21 |
| 申请号 | TW100117786 | 申请日期 | 2011.05.20 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 洪俊雄;罗棋 |
| 分类号 | G11C7/10;G11C7/12 | 主分类号 | G11C7/10 |
| 代理机构 | 代理人 | 李贵敏 台北市内湖区民权东路6段109号2楼之1 | |
| 主权项 | 一种操作记忆装置的方法，包含：响应一第二读取操作而在一与一位元线耦接的第二记忆胞执行一读取操作，该第二读取操作系在一与该位元线耦接的第一记忆胞执行该读取操作之后进行，该第二读取操作步骤包括：施加一读取偏压至该第二记忆胞而不需要在施加该读取偏压之前对该位元线放电。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||