发明名称 阳极金属氧化物薄膜的制造方法
摘要
申请公布号 TWI496956 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW102148757 申请日期 2013.12.27
申请人 国立高雄第一科技大学 发明人 高宗达;邱奕渊;蔡均璋
分类号 C25D11/16;C25D11/08;C25D11/18;C23C22/56 主分类号 C25D11/16
代理机构 代理人 陈瑞田 高雄市凤山区建国路3段256之1号
主权项 一种阳极金属氧化物薄膜的制造方法,其是制造具有复数个奈米孔洞的阳极氧化铝薄膜的方法,系包含步骤:(A)提供一第一表面为铝金属层之基板单元;(B)产生一复数个奈米凹洞紧密规则排列之表面形貌,该表面形貌系设于该基板单元之第一表面上;(C)进行一酸性电解液中该基板单元第一表面之阳极氧化处理,该阳极氧化处理在该基板单元之第一表面上方形成该阳极氧化铝薄膜,该薄膜为一具有该复数个奈米孔洞紧密规则排列之多孔性薄膜,其具有一第一表面以及相对该第一表面之一第二表面,该奈米孔洞系为管状,且该复数之每一奈米孔洞具有一第一端及一第二端,该第一端系具有开口且该开口系位于该阳极氧化铝薄膜之第一表面,该第二端系一具圆弧形状之氧化铝阻障层且位于该阳极氧化铝薄膜之第二表面;(D)薄化该复数第二端之该圆弧形状氧化铝阻障层;(E)固定该阳极氧化铝薄膜之第一表面于一固定基座;以及(F)分离该阳极氧化铝薄膜之第二表面与该基板单元之第一表面之接面,该阳极氧化铝薄膜之第二表面成为一具有该复数个奈米孔洞紧密规则排列之多孔性表面,而该基板单元之第一表面形成该复数个奈米凹洞紧密规则排列之该表面形貌。
地址 高雄市燕巢区大学路1号