发明名称 光伏电池以及半导体元件的制作方法
摘要
申请公布号 TWI497738 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW099146541 申请日期 2010.12.29
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 涂志强;陈俊郎
分类号 H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 主分类号 H01L31/068
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种光伏电池的制作方法,包括:提供一半导体基板,该半导体基板具有一第一表面与一第二表面,该第二表面相对于该第一表面,其中该第一表面包括一平坦表面部,该平坦表面部定义出一接触区域;在该半导体基板中形成一邻近该第一表面的第一掺杂区;在该半导体基板的该第一表面上形成一遮蔽层;提供一模具,该模具具有包括一凸起结构的一图案;进行一奈米压印制程以将该图案转移至该遮蔽层,其中该凸起结构与该接触区域对齐;于该奈米压印制程之后,进行一蚀刻制程以于该半导体基板中之该接触区域形成一沟槽,该沟槽自该第一表面延伸入该半导体基板中;于该半导体基板中形成一位于该沟槽中的第二掺杂区,该第二掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度;以及以一导电材料填满该沟槽。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号