在环绕晶粒周围之晶粒延伸区域形成贯穿导通孔的半导体装置与方法

主权项

一种半导体装置之制造方法，包含：提供一具有复数个半导体晶粒之晶圆；切割该半导体晶圆以分开该些半导体晶粒；将该些半导体晶粒转移至一载体上；在该载体上环绕着半导体晶粒周围形成一聚合物晶粒延伸区域；移除该载体；于该聚合物晶粒延伸区域中形成复数个贯穿导通孔(THV)；于该些贯穿导通孔内沉积传导材料；于半导体晶粒正面之接触垫片及该些贯穿导通孔之间形成一第一中间传导层；于半导体晶粒背面上形成与该些贯穿导通孔电性接触之一第二中间传导层；在半导体晶粒背面上形成与该第二中间传导层电性接触之凸块下金属化层；于该凸块下金属化层上形成复数个焊接凸块；及单粒化该晶粒延伸区域以分开该些半导体晶粒。