发明名称 氧化铟锡薄膜溅镀方法及氧化铟锡薄膜溅镀设备
摘要
申请公布号 TWI496915 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW102148114 申请日期 2013.12.25
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 耿波;叶华;文莉辉;杨玉杰;夏威;王厚工;丁培军
分类号 C23C14/08;C23C14/34;H01L21/203 主分类号 C23C14/08
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种氧化铟锡薄膜溅镀方法,其步骤包括:S1,向反应腔体内通入工作气体,并设定所述反应腔体内的工作气体压力,使其高于能够使工作气体辉光放电的预定压力;S2,开启直流溅镀电源,以向靶材施加溅镀功率,并限制所述直流溅镀电源的输出电压,使其小于或等于预设电压值;S3,将所述反应腔体内的工作气体压力降低到所述预定压力以下,所述直流溅镀电源向靶材施加溅镀功率,以进行溅镀制程。
地址 中国