发明名称 用于小像素互补式金属氧化物半导体影像感测器之垂直接面场效电晶体源极追随器
摘要
申请公布号 TWI497697 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW101126385 申请日期 2012.07.20
申请人 普廷数码影像控股公司 发明人 贾洛斯夫 希尼克
分类号 H01L27/14 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种影像感测器像素,其包括:一半导体基板;一光敏元件,其形成于该半导体基板中;一浮动扩散区,其包含在该半导体基板内各自不同深度处形成之至少两个N型掺杂区;一电荷转移电晶体,其耦合于该光敏元件与该浮动扩散区之间;及一垂直接面场效电晶体(JFET)源极追随器,其经由该电荷转移电晶体而耦合至该光敏元件,其中该垂直接面场效电晶体源极追随器具有经整合至该浮动扩散区内之一闸极,以及其中该垂直接面场效电晶体源极追随器进一步包含一通道,该通道由在与该浮动扩散区相关联之该至少两个N型掺杂区内分别植入之至少两个P型掺杂区所形成。
地址 美国