OXIDE THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要
<p>본 발명의 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법은 비정질 아연 산화물(ZnO)계 반도체를 액티브층으로 사용한 박막 트랜지스터에 있어서, 다중노출 마스크와 리프트-오프(lift off)공정을 이용하여 소오스/드레인전극과 화소전극 및 공통전극을 동시에 형성함으로써 마스크 수를 감소시켜 제조공정을 단순화하는 동시에 제조비용을 절감하기 위한 것을 특징으로 한다.</p>
