发明名称 非挥发性记忆体及其程式化
摘要
申请公布号 TWI497509 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW102111717 申请日期 2013.04.01
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 蔡文哲;蔡秉宏
分类号 G11C16/34;G11C16/06 主分类号 G11C16/34
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种非挥发性记忆系统,包括:一个位元线;多个与该位元线相关联的记忆胞元以串联方式耦合;以及一个控制电路与该些记忆胞元相互通信,其中该控制电路程式化一个从该些记忆胞元中选取的标靶胞元,该程式化藉由施加一个位元线电压到位元线上用来促进热载子注入到该标靶胞元,和一程式化电压在热载子注入机制下施加在该标靶胞元上,和程式化该标靶胞元时施加一控制电压在与该个别标靶胞元相邻的相对应一控制胞元上,其中该控制电压依附于该控制胞元的阈值电压并且该控制电压小于该程式化电压。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号