发明名称 用于记忆体电路中之修复电路及其修复方法与记忆体电路
摘要
申请公布号 TWI497517 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW101140734 申请日期 2012.11.02
申请人 晶豪科技股份有限公司 发明人 许人寿
分类号 G11C29/44;G11C29/38 主分类号 G11C29/44
代理机构 代理人 庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项 一种用于一记忆体电路的修复方法,其中该记忆体电路包括具有记忆体单元之复数行与至少一修复电路,具有记忆体单元之该些行包括具有正常记忆体单元之复数正常行选择线与具有冗余记忆单元之一第一备份行选择线及具有冗余记忆单元之一第二备份行选择线,其中该第一与该第二备份行选择线自一冗余行选择线扩充而来,每一该备份行选择线在不同列位址分为复数部分备份行选择线,该修复方法包括:形成具有X列记忆单元之一第一区域与具有Y列记忆单元之一第二区域,其中X与Y为大于0之正整数,并且该冗余行选择线分别对应于该第一区域与该第二区域而分为一第一部分冗余行选择线及一第二部分冗余行选择线,且该冗余行选择线在不同列位址具有复数部分备份行选择线;决定Z个缺陷记忆体单元是否位于该第一区域或该第二区域,其中Z为正整数;如果Z个缺陷记忆体单元为位于该第一区域,该修复电路会以在该第一部分冗余行选择线上之该些冗余记忆体单元来取代对应于一必要行位址之该些正常行选择线上之该些正常记忆体单元,其中该必要行位址为具有Z个缺陷记忆单元之一行位址;以及如果Z个缺陷记忆体单元为位于该第二区域,该修复电路会以在该第二部分冗余行选择线上之该些冗余记忆体单元来取代对应于该必要行位址之该些正常行选择线上之该些正常记忆体单元。
地址 新竹市新竹科学工业园区工业东四路23号