| 主权项 |
一种用于制造经磊晶涂覆之半导体晶圆之方法，其中系制备复数个所制备之半导体晶圆，该等所制备之半导体晶圆系至少对其正面进行抛光，并且依次个别透过化学气相沉积法在一沉积反应炉内于800至1200℃的温度下将一磊晶层涂覆至该等所制备之半导体晶圆之经抛光的正面上，包含将一待磊晶涂覆之所制备之半导体晶圆支撑在一环上，该环系处于一基座与该半导体晶圆间以作为该基座与该经支撑之半导体晶圆之间之热缓冲器，以使该半导体晶圆藉该环而支撑住，该半导体晶圆的背面朝向具有透气性结构之基座底部但不接触该基座，从而透过气体扩散使气态物质从该半导体晶圆的背面处区域通过该基座导入该基座的背面处区域内，该半导体晶圆仅以晶圆背面之边缘区域与该环相接触，其中该经磊晶涂覆之半导体晶圆系包含一正面及一背面，并在其正面上系提供有一磊晶层，该层不具有光弹性应力测量法(photoelastic stress measurement，SIRD)可测得之应力，且以面积为2毫米×2毫米的正方形测量窗为基准，该半导体晶圆在其背面上具有以PV表示之高度变化为大于或等于2奈米且小于或等于5奈米的奈米形貌(nanotopography)，且该半导体晶圆具有表示为光雾(haze)、大于或等于0.1ppm且小于或等于5ppm之背面晕圈(halo)。
|
