发明名称 用于提升资料读写可靠度的NAND型快闪记忆体
摘要
申请公布号 TWI497651 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW100126960 申请日期 2011.07.29
申请人 华亚科技股份有限公司 发明人 李宗翰;黄仲麟;朱荣福
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人 张耀晖 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项 一种用于提升资料读写可靠度的NAND型快闪记忆体,其包括:一半导体基板单元,其包括一半导体基板;一基层单元,其包括一成形于该半导体基板上的第一介电层;以及多个资料储存单元,其彼此相邻且透过半导体制程以成形于该第一介电层上,其中每一个资料储存单元包括至少两个成形于该第一介电层上且彼此分离一预定距离的浮置闸极、至少两个分别成形于上述至少两个浮置闸极上且分别对应于上述至少两个浮置闸极的闸间介电层、至少两个分别成形于上述至少两个闸间介电层上且分别对应于上述至少两个闸间介电层的控制闸极、一成形于该第一介电层上且位于上述至少两个浮置闸极之间、上述至少两个闸间介电层之间、及上述至少两个控制闸极之间的第二介电层、及一成形于该第一介电层上且围绕并紧连上述至少两个浮置闸极、上述至少两个闸间介电层、及上述至少两个控制闸极的第三介电层。
地址 桃园市龟山区复兴三路667号