记忆体元件及记忆体装置,申请号TW101104579-传众专利搜索

发明名称	记忆体元件及记忆体装置
摘要
申请公布号	TWI497491	申请公布日期	2015.08.21
申请号	TW101104579	申请日期	2012.02.13
申请人	新力股份有限公司	发明人	水口彻也;大场和博;保田周一郎;紫牟田雅之;河内山彰;清宏彰
分类号	G11C13/00	主分类号	G11C13/00
代理机构		代理人	陈长文台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项	一种记忆体元件，其包括：依此顺序之一第一电极、一记忆体层及一第二电极，其中该记忆体层包含：一电阻变化层，其布置在该第一电极之侧上且呈包含一层以含有一最高百分比之碲(Te)作为一阴离子组分之一单层或多层结构，及一离子源层，其布置在该第二电极之侧上且含有包括铝(Al)之至少一金属元素及包含碲(Te)、硫(S)及硒(Se)之一或多种硫族元素，其中铝(Al)占27.7原子%或更大及47.4原子%或更小。
地址	日本