发明名称 半导体装置及其测试方法
摘要
申请公布号 TWI497094 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW100128406 申请日期 2011.08.09
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 金起业
分类号 G01R31/319;G01R31/3183 主分类号 G01R31/319
代理机构 代理人 赖安国 台北市信义区东兴路37号9楼;王立成 台北市信义区东兴路37号9楼
主权项 一种半导体装置,其包含:一第一晶片与一第二晶片,其共用一第一资料通道与一第二资料通道,其中该第一晶片压缩该第一晶片的一第一测试资料,并在一第一测试模式下经由该第一资料通道输出该压缩的第一测试资料,而该第二晶片压缩该第二晶片的一第二测试资料,并在该第一测试模式下经由该第二资料通道输出该压缩的第二测试资料。
地址 南韩