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经营范围
发明名称
有机场效电晶体及其制造方法
摘要
申请公布号
TWI497788
申请公布日期
2015.08.21
申请号
TW098129249
申请日期
2009.08.31
申请人
国立大学法人大阪大学;信越化学工业股份有限公司
发明人
谷口正辉;川合知二;川口英幸;福井育生
分类号
H01L51/30;H01L51/40
主分类号
H01L51/30
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种有机场效电晶体,其系具有导电体层/绝缘体层/半导体层构造之有机场效电晶体,其特征为含有:使下列式(1)所示之单体及/或下列式(2)所示之单体进行聚合或共聚合所得之高分子物质、与下列式(1)及(2)以外之显示聚合性及/或交联性的有机化合物予以混合所形成之绝缘体层;以及由有机化合物所形成之半导体层所成,CH2=CHCOO-(CH2)2-CN (1) CH2=C(CH3)COO-(CH2)2-CN (2)。
地址
日本
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