| 主权项 |
一种形成功率半导体装置之方法，包括以下步骤：A.提供第二导电型基板；B.藉由以下步骤，于该基板上形成电压保持区域：1.沉积外延层于该基板上，该外延层具有第一导电型；2.形成至少一个梯状沟槽于该外延层中，该梯状沟槽具有复数个宽度不同部分以在其间界定至少一个环形架；3.沿该沟槽之壁及底部沉积障壁层材料；形成电压保持区域；4.透过衬入该至少一个环形架、该沟槽底部与该外延层之相邻部分之间的障壁层材料注入第二导电型掺杂剂，其中该沟槽之该壁内未注入掺杂剂；5.扩散该掺杂剂以在该外延层中形成至少一个环形掺杂区域，以及位于该外延层中该环形掺杂区域下方之至少一个其它区域；以及6.沉积充填材料于该梯状沟槽中以实质上充填该沟槽；以及C.于该电压保持区域的上方形成该第二导电型之至少一个区域以界定其间之接合面，其中步骤(C)进一步包含以下步骤：形成包含氧化物及多晶矽层之绝缘闸极电极；
形成第一及第二本体区域于该外延层中以界定一漂移区域于其间，该等第一及第二本体区域具有第二导电型；以及分别形成该第一导电型之第一及第二源极区域于该等第一及第二本体区域中，其中该等第一及第二本体区域包含延伸比该等第一及第二源极区之深度更深之区域。
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