| 主权项 |
一种加工矽晶圆的方法，其系包含依序地(sequentially)实施以下步骤：(1)制备一经磨光的半导体矽晶圆；(2)用表面活性剂清洗该晶圆；(3)用硷清洗该晶圆以去除该晶圆每面0.3至0.8微米，且之后用水清洗该晶圆；以及(4)用高纯度氢氧化钠蚀刻该晶圆，其中该高纯度氢氧化钠的杂质包括：Cu、Ni、Mg、Cr的元素含量各为1ppb或更低，Pb、Fe的元素含量各为5ppb或更低，Al、Ca、Zn的元素含量各为10ppb或更低，且氯化物、硫酸盐、磷酸盐、以及氮化物化合物的含量为1ppm或更低。 |
