发明名称 薄膜电晶体用配线层构造及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI497598 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW099114804 申请日期 2010.05.10
申请人 三菱综合材料股份有限公司;爱发科股份有限公司 发明人 牧一诚;谷口兼一;中里洋介
分类号 H01L21/3205;H01L21/324;H05K1/09 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种薄膜电晶体用配线层构造,其特征系具备:半导体基板或玻璃基板的底层基板;含氧Cu层或含氧Cu合金层,其系形成于该底层基板上;氧化物层,其系形成于该含氧Cu层或该含氧Cu合金层上,含有Al、Zr、Ti的其中至少一种;及Cu合金层,其系形成于该氧化物层上,含有Al、Zr、Ti的其中至少一种,前述氧化物层系形成于前述含氧Cu层或前述含氧Cu合金层与前述Cu合金层的界面。
地址 日本