EPITAKTISCHES FILMAUFWACHSEN AUF EINEM GEMUSTERTEN SUBSTRAT

摘要

Eine Ausführungsform beinhaltet ein Abscheiden eines Materials auf einem Substrat, wobei das Material eine von der des Substrats (z. B. epitaktisches (EPI-)Material aus III–V- oder Gruppe-IV-Halbleiter auf einem Si-Substrat) verschiedene Gitterkonstante aufweist. Eine Ausführungsform beinhaltet eine EPI-Schicht, die innerhalb eines Grabens gebildet wird, dessen Wände sich annähern, wenn sich der Graben aufwärts erstreckt. Eine Ausführungsform beinhaltet eine EPI-Schicht, die unter Verwendung mehrerer Aufwachstemperaturen innerhalb eines Grabens gebildet wird. Eine Defektbarriere, die in der EPI-Schicht gebildet wird, wenn sich die Temperatur ändert, enthält Defekte innerhalb des Grabens und unter der Defektbarriere. Die EPI-Schicht über der Defektbarriere und innerhalb des Grabens ist relativ defektfrei. Eine Ausführungsform beinhaltet eine EPI-Schicht, die innerhalb eines Grabens getempert wird, um eine Defektauslöschung einzuführen. Eine Ausführungsform beinhaltet ein EPI-Übergitter, das innerhalb eines Grabens gebildet und mit einer relativ defektfreien EPI-Schicht (die noch in dem Graben enthalten ist) abgedeckt wird. Andere Ausführungsformen werden hier beschrieben.