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发明名称 プラズマ処理方法
摘要 <p>【課題】第１と第２のエッチングステップ間における被処理物（ウェハ）への異物の付着を低減・防止し、エッチング不良等の処理不良を低減することが可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】プラズマにより被エッチング膜をエッチングするプラズマ処理方法において、被エッチング膜をエッチングするステップ１と、プラズマ処理が行われる処理室内に配置されたアースの電位よりも被エッチング膜を有する試料の電位を低くするステップ２とを有する。【選択図】なし</p>
申请公布号 JP2015149423(A) 申请公布日期 2015.08.20
申请号 JP20140022209 申请日期 2014.02.07
申请人 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORP 发明人 ISHIGURO MASAKI ; SHIRAYONE SHIGERU ; TAMURA SATOYUKI ; SUMIYA MASAHIRO
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
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