发明名称 自立形非平面状多結晶合成ダイヤモンドコンポーネント
摘要 <p>核生成フェース及び成長フェースを備えた自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントであって、核生成フェースは、成長フェースよりも小さな結晶粒を有し、核生成フェースは、50nm以下の表面粗さRaを有し、自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントは、平面上に投影されたときに5mm以上の最も長い直線寸法を有し、自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントには、少なくともその領域にわたって実質的にクラックがなく、領域は、自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントの全面積の少なくとも70%であり、領域には、自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントの外側主要フェースの両方と交差し且つ長さが2mmを超えて延びるクラックがないことを特徴とする自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネント。【選択図】図5</p>
申请公布号 JP2015523952(A) 申请公布日期 2015.08.20
申请号 JP20150514430 申请日期 2013.05.23
申请人 发明人
分类号 C30B29/04;C23C16/27;H04R7/02;H04R31/00 主分类号 C30B29/04
代理机构 代理人
主权项
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