| 摘要 |
<p>複数のメモリ状態を有する不揮発性メモリセルでの動作を実行する機器及び方法が開示される。方法の一つは、Ｎ＋１ビットまで記憶するように構成される不揮発性メモリセル内にＮビットをプログラムする方法である。そのプログラムする方法は、不揮発性メモリセル内にＮビットのデータをプログラムすることを含む。そのプログラムする方法は、不揮発性メモリセル内にＮビットのデータの論理関数である追加のデータビットをプログラムすることも含む。不揮発性メモリセルはビットを記憶するための２N+1の閾電圧範囲を提供するように構成され、論理関数に従い、ｉ）２N+1の閾電圧範囲のうちの１組の第１の２N閾電圧範囲がＮビットのデータを記憶するために使用され、ｉｉ）第１の組と交互の残りの１組の第２の２N閾電圧範囲は使用されないように構成される。【選択図】図１６</p> |
