发明名称 FLIPPED-GATE-SPANNUNGSREFERENZ UND VERFAHREN ZU IHRER NUTZUNG
摘要 <p>Eine Spannungsreferenz umfasst einen Flipped-Gate-Transistor, der so konfiguriert ist, dass er einen ersten Strom empfängt. Die Spannungsreferenz umfasst weiter einen ersten Transistor, der so konfiguriert ist, dass er einen zweiten Strom empfängt, wobei der erste Transistor einen ersten Leckstrom aufweist, wobei der erste Transistor mit dem Flipped-Gate-Transistor in einer subtraktiven Vgs-Anordnung verbunden ist. Die Spannungsreferenz umfasst weiter einen Ausgabeknoten, der so konfiguriert ist, dass er eine Referenzspannung ausgibt, wobei der Ausgabeknoten mit dem ersten Transistor verbunden ist. Die Spannungsreferenz umfasst weiter einen zweiten Transistor, der mit dem Ausgabeknoten verbunden ist, wobei der zweite Transistor einen zweiten Leckstrom aufweist, wobei der erste Leckstrom im Wesentlichen gleich dem zweiten Leckstrom ist.</p>
申请公布号 DE102014103597(A1) 申请公布日期 2015.08.20
申请号 DE201410103597 申请日期 2014.03.17
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 AL-SHYOUKH, MOHAMMAD;KALNITSKY, ALEXANDER
分类号 G05F3/24 主分类号 G05F3/24
代理机构 代理人
主权项
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