发明名称 LEDの集合的製造の方法及びLEDの集合的製造のための構造
摘要 本発明は、n型層(132)、活性層(133)、及びp型層(134)をそれぞれが備える基本構造(150)を形成するステップを含む、発光ダイオード(LED)デバイスの集合的製造の方法に関し、方法は、各基本LED構造(150)の一部の横方向寸法を縮小するステップと、基本構造(150)の側部に絶縁材料(139)の一部分を形成するステップと、n型電気的コンタクトパッド(145)及びp型電気的コンタクトパッド(138)を形成するステップと、基本構造(150)に導電性材料層(141)を堆積し、導電性材料層(141)を研磨するステップと、前記構造(70)の研磨された面(70a)に第2の基板(50)を分子付着によってボンディングするステップとを含む。【選択図】 図1N
申请公布号 JP2015524173(A) 申请公布日期 2015.08.20
申请号 JP20150517733 申请日期 2013.06.18
申请人 ソイテックSoitec 发明人 ゲナール, パスカル
分类号 H01L33/38;H01L33/08;H01L33/32 主分类号 H01L33/38
代理机构 代理人
主权项
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