| 摘要 |
<p>【課題】一つ又は複数のターゲット部を適切に形成すること。【解決手段】Ｘ線発生用ターゲットの製造方法は、一つの実施形態において、一つ又は複数の凸部を有するシリコン層と、シリコン層の面のうち一つ又は複数の凸部が設けられた面を覆うＳｉＯ２層とを有する被処理体のＳｉＯ２層に、ＵＮＣＤ（Ultra Nano Crystallite Diamond）層を形成する。そして、ＳｉＯ２層をエッチングすることで、ＵＮＣＤ層と被処理体とを分離する。そして、ＵＮＣＤ層の面のうち、被処理体が分離された側に形成される一つ又は複数の凸部に対応する一つ又は複数の凹部に対して、Ｘ線発生用ターゲットの材料となる金属を堆積させる。【選択図】図７</p> |
