| 发明名称 |
半導体記憶装置 |
| 摘要 |
<p>【課題】信頼性の高いメモリセル動作を実現することができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体記憶装置は、複数層の電極層と、前記電極層間にそれぞれ設けられた複数層の絶縁層とを有する積層体と、前記積層体を貫通して前記積層体の積層方向に延びた柱状部と、を備えている。前記柱状部は、前記積層方向に延びるチャネルボディと、前記チャネルボディと前記電極層との間に設けられた電荷蓄積膜と、前記電荷蓄積膜と前記電極層との間に設けられた空隙と、を有する。【選択図】図３</p> |
| 申请公布号 |
JP2015149381(A) |
申请公布日期 |
2015.08.20 |
| 申请号 |
JP20140021130 |
申请日期 |
2014.02.06 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP |
发明人 |
YASUDA NAOKI;FUKUZUMI YOSHIAKI |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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