发明名称 Durch ein elektrisches Feld verbesserte Spinübertragungsdrehmomentspeicher-(STTM)-Vorrichtung
摘要 Spinübertragungsdrehmomentspeicher-(STTM)-Vorrichtungen, welche eine Feldplatte für das Anlegen eines elektrischen Felds zum Verringern eines für das übertragungsdrehmomentinduzierte Magnetisierungsschalten erforderlichen kritischen Stroms aufweisen. Ausführungsformen verwenden nicht nur ein strominduziertes Magnetfeld oder ein Spinübertragungsdrehmoment, sondern auch eine durch ein elektrisches Feld induzierte Manipulation der Orientierung magnetischer Dipole, um Zustände in einem magnetischen Vorrichtungselement festzulegen (beispielsweise um in ein Speicherelement zu schreiben). Ein durch eine Spannungsdifferenz zwischen einer MTJ-Elektrode und der Feldplatte erzeugtes elektrisches Feld legt ein elektrisches Feld an eine freie magnetische Schicht eines magnetischen Tunnelübergangs (MTJ) an, um eine oder mehrere magnetische Eigenschaften zumindest über einen Teil der freien magnetischen Schicht zu modulieren.
申请公布号 DE112013005558(T5) 申请公布日期 2015.08.20
申请号 DE20131105558T 申请日期 2013.06.24
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 SHAH, UDAY;DOYLE, BRIAN S.;KUO, CHARLES C.;KENCKE, DAVID L.;MOJARAD, ROKSANA GOLIZADEH
分类号 H01L27/115;H01L21/8247 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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