发明名称 |
Durch ein elektrisches Feld verbesserte Spinübertragungsdrehmomentspeicher-(STTM)-Vorrichtung |
摘要 |
Spinübertragungsdrehmomentspeicher-(STTM)-Vorrichtungen, welche eine Feldplatte für das Anlegen eines elektrischen Felds zum Verringern eines für das übertragungsdrehmomentinduzierte Magnetisierungsschalten erforderlichen kritischen Stroms aufweisen. Ausführungsformen verwenden nicht nur ein strominduziertes Magnetfeld oder ein Spinübertragungsdrehmoment, sondern auch eine durch ein elektrisches Feld induzierte Manipulation der Orientierung magnetischer Dipole, um Zustände in einem magnetischen Vorrichtungselement festzulegen (beispielsweise um in ein Speicherelement zu schreiben). Ein durch eine Spannungsdifferenz zwischen einer MTJ-Elektrode und der Feldplatte erzeugtes elektrisches Feld legt ein elektrisches Feld an eine freie magnetische Schicht eines magnetischen Tunnelübergangs (MTJ) an, um eine oder mehrere magnetische Eigenschaften zumindest über einen Teil der freien magnetischen Schicht zu modulieren. |
申请公布号 |
DE112013005558(T5) |
申请公布日期 |
2015.08.20 |
申请号 |
DE20131105558T |
申请日期 |
2013.06.24 |
申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
SHAH, UDAY;DOYLE, BRIAN S.;KUO, CHARLES C.;KENCKE, DAVID L.;MOJARAD, ROKSANA GOLIZADEH |
分类号 |
H01L27/115;H01L21/8247 |
主分类号 |
H01L27/115 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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