| 摘要 |
<p>Bipolarhalbleiterbauelement (100), umfassend: ein Halbleitersubstrat (20), das eine erste Oberfläche (15), eine gegenüberliegende Oberfläche (16), einen zwischen der ersten Oberfläche (15) und der gegenüberliegenden Oberfläche (16) angeordneten ersten und zweiten pn-Übergang (11, 12) umfasst; eine auf der ersten Oberfläche (15) angeordnete erste Metallisierung (7); eine auf der gegenüberliegenden Oberfläche (16) angeordnete zweite Metallisierung (8); und eine bei dem ersten pn-Übergang (11) und der ersten Oberfläche angeordnete isolierte Gateelektrode (9); wobei das Halbleitersubstrat (20) weiter ein Driftgebiet (2) vom n-Typ, ein mit dem Driftgebiet (2) den ersten pn-Übergang (11) bildendes Bodygebiet (3) vom p-Typ und ein das Bodygebiet (3) elektrisch mit der ersten Metallisierung (7) verbindendes Bodykontaktgebiet (5) vom p-Typ, das höher dotiert ist als das Bodygebiet (3), umfasst, und wobei das Bipolarhalbleiterbauelement (100) weiterhin eine Löcherstromumverteilungsstruktur (10) umfasst, die vollständig in das Bodygebiet (3) eingebettet und von diesem umgeben ist, und zwischen der ersten Metallisierung (7) und dem ersten pn-Übergang (11) angeordnet ist, wobei die Löcherstromumverteilungsstruktur (10) in einer Projektion auf die erste Oberfläche (15) mit dem Bodykontaktgebiet (5) überlappt und von einem porösen Halbleitergebiet, einem isolierenden Gebiet, einem Hohlraum oder einem Teilgebiet (10) des Bodygebiets (3) gebildet wird, wobei das Teilgebiet vom p-Typ ist und zusätzliche Streuzentren für Löcher umfasst.</p> |
