| 摘要 |
<p>Eine Halbleitervorrichtung mit: einem Wärmeerzeugungselement (10), das durch einen IGBT bereitgestellt wird; einem Anheftteil (50); ersten und zweiten Wärmeabstrahlplatten (20, 30), welche auf ersten und zweiten Seiten (12, 13) des Wärmeerzeugungselementes (10) entsprechend über das Anheftteil (50) angeordnet sind; einem Wärmeabstrahlblock (40), der zwischen der ersten Wärmeabstrahlplatte (30) und dem Wärmeerzeugungselement (10) über das Anheftteil (50) angeordnet ist; und einem Kunstharzverguss (60), der praktisch die gesamte Vorrichtung eingießt, wobei die ersten und zweiten Wärmeabstrahlplatten (20, 30) in der Lage sind, von dem Wärmeerzeugungselement (10) erzeugte Wärme abzustrahlen; das Wärmeerzeugungselement (10) elektrisch und thermisch mit der ersten Wärmeabstrahlplatte (30) über das Anheftteil (50) und den Wärmeabstrahlblock (40) verbunden ist; das Wärmeerzeugungselement (10) elektrisch und thermisch mit der zweiten Wärmeabstrahlplatte (20) über das Anheftteil (50) verbunden ist; der Wärmeabstrahlblock (40) einen Kantenabschnitt (43) ohne Ecke derart hat, dass das Anheftteil (50), welches an dem Kantenabschnitt (43) angeordnet ist, dick wird; der Wärmeabstrahlblock (40) eine Oberfläche (41) mit dem Kantenabschnitt (43) ohne Ecke aufweist; die Oberfläche (41) des Wärmeabstrahlblocks (40) der ersten Seite des Wärmeerzeugungselements (10) über das Anheftteil (50) gegenüberliegt; und das Wärmeerzeugungselement (10) eine Steuerelektrode auf der ersten Seite beinhaltet.</p> |
