Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (1) mit folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten, zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (25); b) Ausbilden einer ersten Anschlussschicht (31) auf der der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht; c) Ausbilden einer Mehrzahl von Aussparungen (29) durch die Halbleiterschichtenfolge hindurch; d) Ausbilden einer Leitungsschicht (4) in den Aussparungen zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht und der ersten Anschlussschicht; und e) Vereinzeln in die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen, wobei aus der Halbleiterschichtenfolge für jedes Halbleiterbauelement ein Halbleiterkörper (20) mit zumindest einer der Mehrzahl von Aussparungen hervorgeht und die zumindest eine Aussparung in Draufsicht auf den Halbleiterkörper vollständig von dem Halbleiterkörper umgeben ist. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement angegeben.