Power quad flat no-lead semiconductor die packages with isolated heat sink for high-voltage high-power applications systems using the same and methods of making the same

摘要

고전압, 고전력 어플리케이션들을 위한 PQFN 반도체 다이 패키지들, 패키지들을 사용한 시스템들, 및 패키지들의 제조방법이 개시된다. 예시적인 패키지는, 리드프레임, 리드프레임 상에 위치한 반도체 다이, 및 반도체 다이와 리드프레임 상에 위치하고, 패키지의 몰딩 물질 내로 일체화된 히트 싱크 부재를 포함한다. 히트 싱크 부재는, 높은 항복 전압을 가지는 전기적 절연 기판 및 기판의 제1 표면 상에 위치하고, 반도체를 리드프레임의 하나 또는 그 이상의 리드들에 전기적으로 상호접속하는 하나 또는 그 이상의 도전층들을 포함한다.